ذاكرة القراءة والكتابة

ذاكرة القراءة والكتابة (RWM) هي نوع من ذاكرة الحاسوب يمكن الكتابة إليها والقراءة منها بسهولة باستخدام الإشارات الكهربائية المرتبطة عادةً بتشغيل البرامج، ودون أي عمليات فيزيائية أخرى. ^{[ أ ] [ 1 ]} أما ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) فهي نوع تخزين ذو صلة ، وتعني شيئًا مختلفًا؛ إذ تشير إلى ذاكرة يمكنها الوصول إلى أي موقع في الذاكرة خلال فترة زمنية ثابتة. ^{[ 2 ]}

قد يشير المصطلح أيضًا إلى مواقع الذاكرة التي تتمتع بصلاحيات القراءة والكتابة. في أنظمة الحاسوب الحديثة التي تستخدم تجزئة الذاكرة ^، يكون لكل جزء طول ومجموعة من الصلاحيات ^{المرتبطة به} . ^{[ 3 ]}

تتكون ذاكرة القراءة والكتابة من نوعين من التخزين: متطاير وغير متطاير . عادةً ما تكون الذاكرة المتطايرة على شكل شريحة إلكترونية أو جهاز آخر يتطلب مصدر طاقة خارجيًا لحفظ البيانات. ^{[ 4 ]} أما الذاكرة غير المتطايرة فتُعتبر ثابتة، أو ذاكرة تخزين. وهذا يعني أنه يمكنك كتابة البيانات عليها، وستبقى هذه المعلومات محفوظة حتى في حال انقطاع مصدر الطاقة. عادةً ما تكون سرعات القراءة والكتابة محدودة بعرض النطاق الترددي الخاص بها ، أو تخضع لقيود ميكانيكية كسرعة الدوران وتأخير حركة الذراع، وذلك لأنواع التخزين مثل التخزين السحابي ، ومحركات الأقراص الصلبة ، وأقراص CD-RW و DVD-RW ، وبطاقات SD ، ومحركات الحالة الصلبة ، وذاكرة SRAM ، وذاكرة DRAM ، أو غيرها من الدوائر المتكاملة .

في سان فرانسيسكو عام 1956، كانت شركة IBM أول شركة تطور وتبيع أول محرك أقراص صلبة تجاري (HDD) . كان المحرك عبارة عن وحدة تخزين أقراص من طراز 350، بسعة تخزين بيانات تبلغ 3.75 ميجابايت، ويتكون من خمسين قرصًا بقطر 24 بوصة مكدسة على محور، وقد بيع لشركة Zellerbach Paper . ^{[ 5 ]}

• ذاكرة القراءة في الغالب (RMM)
• ذاكرة الوصول العشوائي (RAM)